|
'''ნახევრად გამტარები''', ''ნახევარგამტარები'', ფართო კლასი [[ნივთიერება|ნივთიერებებისა]], რომელთა [[კუთრი გამტარობა]] (.....'''σ''') ნაკლებია ლითონების[[ლითონები]]ს კუთრ გამტარობაზე (σ~10<sup>6</sup>-10<sup>4</sup>ომ<sup>-1</sup>............სმ<sup>-1</sup>) და მეტია კარგი დიალექტრიკების[[დიელექტრიკები]]ს კუთრ გამტარობაზე (σ≤10<sup>-10</sup>-10<sup>-12</sup>ომ<sup>-1</sup>.........სმ<sup>-1</sup>). .........σ- ს აქ მოტანილი რიცხვითი მნიშვნელობები აღებულია [[ოთახის ტემპერატურა|ოთახის ტემპერატურის]] პირობებში.
ლითონებისაგან განსხვავებით ნახევრად გამტარების დამახასიათებელი თვისებაა ელექტროგამტარობის ზრდა [[ტემპერატურა|ტემპერატურის]] ზრდის მიხედვით, ამასთან ერთად ტემპერატურის ცვლილების საკმარისად დიდ ინტერვალში კუთრი გამტარობა, როგორც წესი, იზრდება ექსპონენციალური კანონით:
<center>'''σ = σ<sub>0</sub> exp (-E<sub>A</sub> / kT)''', (1)</center>
სადაც ........'''''k''''' არის [[ბოლცმანის მუდმივა]], '''''E<sub>A</sub>''''' - ნახევრად გამტარებში [[ელექტრონი|ელექტრონების ]] აქტივაციის [[ენერგია ]], '''''σ<sub>0</sub>''''' - პროპორციულობის [[კოეფიციენტი ]], რომელიც სინამდვილეში დამოკიდებულია ტემპერატურაზე, მაგრამ გაცილებით სუსტად, ვიდრე ექსპონენციალური მამრავლი. ტემპერატურის გაზრდისასგარზდისას სითბური მოძრაობა არღვევს ელექტრონების ბმას და მათი ნაწილი, რომელიც ......... '''exp(-E<sub>A</sub>/kT)''' პროპორციულია, [[ელექტროდენი|დენის ]] თავისუფალი მატარებელი ხდება. ელექტრონების ბმა შეიძლება დაირღვეს აგრეთვე ნახევრად გამტარებზენახევარგამტარებზე გარე ზემოქმედებით: სინათლის[[სინათლე|ინათლის]] დასხივებით, ჩქარი ნაწილაკების ნაკადით, ძლიერი [[ელექტრული ველითველი]]თ და ა. შ. ამიტომ ნახევრად გამტარებისთვისნახევარგამტარისთვის დამახასიათებელია ელექტროგამტარობის უაღრესად დიდი მგრძნობიარობა გარე ზემოქმედების მიმართ. ვინაიდან ბევრ შემთხვევაში კრისტალის[[კრისტალი]]ს დეფექტებთან ან [[მინარევი|მინარევებთან ]] ლოკალიზებული ელექტრონის .... '''''E<sub>A</sub>''''' ენერგია მნიშვნელოვნად მცირეა, ვიდრე მოცემული ნახევრად გამტარებისნახევარგამტარის იდეალურ კრისტალში, ნახევრად გამტარების ნახევარგამტარის ელექტროგამტარობა ასევე ძლიერ მგრძნობიარეა კრისტალის დეფექტებისა და მინარევების შემცველობის მიმართ. ▼......................................................................
ამგვარად, ტემპერატურის ცვლილებითცვლილებებით, მინარევების შეყვანით და ა. შ. შესაძლებელია ნახევრად გამტარებისნახევარგამტარის ელექტროგამტარობის ცვლილება დიდ ინტერვალში. ▼▲სადაც ........ არის [[ბოლცმანის მუდმივა]], - ნახევრად გამტარებში ელექტრონების აქტივაციის ენერგია, - პროპორციულობის კოეფიციენტი, რომელიც სინამდვილეში დამოკიდებულია ტემპერატურაზე, მაგრამ გაცილებით სუსტად, ვიდრე ექსპონენციალური მამრავლი. ტემპერატურის გაზრდისას სითბური მოძრაობა არღვევს ელექტრონების ბმას და მათი ნაწილი, რომელიც ......... პროპორციულია, დენის თავისუფალი მატარებელი ხდება. ელექტრონების ბმა შეიძლება დაირღვეს აგრეთვე ნახევრად გამტარებზე გარე ზემოქმედებით: სინათლის დასხივებით, ჩქარი ნაწილაკების ნაკადით, ძლიერი ელექტრული ველით და ა. შ. ამიტომ ნახევრად გამტარებისთვის დამახასიათებელია ელექტროგამტარობის უაღრესად დიდი მგრძნობიარობა გარე ზემოქმედების მიმართ. ვინაიდან ბევრ შემთხვევაში კრისტალის დეფექტებთან ან მინარევებთან ლოკალიზებული ელექტრონის .... ენერგია მნიშვნელოვნად მცირეა, ვიდრე მოცემული ნახევრად გამტარების იდეალურ კრისტალში, ნახევრად გამტარების ელექტროგამტარობა ასევე ძლიერ მგრძნობიარეა კრისტალის დეფექტებისა და მინარევების შემცველობის მიმართ.
▲ამგვარად, ტემპერატურის ცვლილებით, მინარევების შეყვანით და ა. შ. შესაძლებელია ნახევრად გამტარების ელექტროგამტარობის ცვლილება დიდ ინტერვალში.
==ნახევრად გამტარები და დიალექტრიკები. ნახევრად გამტარების კლსიფიკაცია==
| 