თხელი ფირი: განსხვავება გადახედვებს შორის
| [შეუმოწმებელი ვერსია] | [შეუმოწმებელი ვერსია] |
შიგთავსი ამოიშალა შიგთავსი დაემატა
ახალი გვერდი: '''თხილი ფირი''' არის ნივთიერების თხელი ფენა რომლის სიქეც არ აღ... |
No edit summary |
||
ხაზი 8:
თხელი ფირების დაფენი ტექნოლოგიები პირობითად იყოფა ორ ნაწილად - ფიზიკური და ქიმიური. ფიზიკურ დაფნვის ტექნოლოგიებს შორისაა ისეთი მეთოდები როგორიცაა პულსირებული ლაზერული დაფენა (პლდ) და მოლეკულურ-სხივური ეპიტაქსია (მსე).
თხელი ფირების ზრდის [[პულსირებული ლაზერული დაფენა|პულსირებული ლაზერული დაფენის]] მეთოდი მდგომარეობს ულტრა მაღალ [[ვაკუუმი|ვაკუუმურ]] კამერაში მყარი სამიზნიდან მასალის აორთქლებაში მოკლე ( ~ 10 ნმ) და მაღალი ენერგიის ლაზერული იმპულსების გამოყენებით<ref>[[პულსირებული ლაზერული დაფენა]]</ref>. მოლეკულურ-სხივური ეპიტაქსის დროს შერჩეული ელემენტების ატომები და მოლეკულები ვაკუუმურ ღუმელში ხურდება და ორთქლდება, რის შემდეგაც ტოვებს ატომების მიმართულ სხივს და ეჯახება მონოკრისტალური ფუძეშრის გახურებულ ზედაპირს<ref>https://gtu.ge/Disertacia/v_mikelashvili%20dissertation.pdf</ref>. კრისტალური ფირების ნუკლეაცია და ზრდა დამოკიდებულია ბევრ ფაქტორზე როგორიცა, სიმკვრივე, ენერგია, იონიზაციის ხარისხი, კონდენსირებადი მასალის ტიპი, ფუძეშრის ფიზიკო-ქიმიური თვისებები და ტემპერატურა. თუმცა სინთეზისას ხდება მხოლოდ რამდენიმე პარამეტრის მანიპულირება. გამოყენებული სამიზნე ზომით პატარაა სხვა გაფრქვევის მეთოდების სამიზნეებთან შედარებით.
▲თხელი ფირების ზრდის პულსირებული ლაზერული დაფენის მეთოდი მდგომარეობს ულტრა მაღალ [[ვაკუუმი|ვაკუუმურ]] კამერაში მყარი სამიზნიდან მასალის აორთქლებაში მოკლე ( ~ 10 ნმ) და მაღალი ენერგიის ლაზერული იმპულსების გამოყენებით<ref>[[პულსირებული ლაზერული დაფენა]]</ref>. მოლეკულურ-სხივური ეპიტაქსის დროს შერჩეული ელემენტების ატომები და მოლეკულები ვაკუუმურ ღუმელში ხურდება და ორთქლდება, რის შემდეგაც ტოვებს ატომების მიმართულ სხივს და ეჯახება მონოკრისტალური ფუძეშრის გახურებულ ზედაპირს<ref>https://gtu.ge/Disertacia/v_mikelashvili%20dissertation.pdf</ref>. კრისტალური ფირების ნუკლეაცია და ზრდა დამოკიდებულია ბევრ ფაქტორზე როგორიცა, სიმკვრივე, ენერგია, იონიზაციის ხარისხი, კონდენსირებადი მასალის ტიპი, ფუძეშრის ფიზიკო-ქიმიური თვისებები და ტემპერატურა. თუმცა სინთეზისას ხდება მხოლოდ რამდენიმე პარამეტრის მანიპულირება. გამოყენებული სამიზნე ზომით პატარაა სხვა გაფრქვევის მეთოდების სამიზნეებთან შედარებით. აგრეთვე შესაძლებელია ორი ან რამდენიმე მასალისაგან მრავალფენოვანი ფირების შექმნა. პულსების რაოდენობის კონტროლით მიიღწევა ფირების სისქის ზუსტი კონტროლი.
| |||