|
'''ნა
'''ნახევრად გამტარები''', ''ნახევარგამტარები'', ფართო კლასი [[ნივთიერება|ნივთიერებებისა]], რომელთა [[კუთრი გამტარობა]] ('''σ''') ნაკლებია [[ლითონები]]ს კუთრ გამტარობაზე (σ~10<sup>6</sup>-10<sup>4</sup>ომ<sup>-1</sup>.სმ<sup>-1</sup>) და მეტია კარგი [[დიელექტრიკები]]ს კუთრ გამტარობაზე (σ≤10<sup>-10</sup>-10<sup>-12</sup>ომ<sup>-1</sup>.სმ<sup>-1</sup>). σ-ს აქ მოტანილი რიცხვითი მნიშვნელობები აღებულია [[ოთახის ტემპერატურა|ოთახის ტემპერატურის]] პირობებში.
ლითონებისაგან განსხვავებით ნახევრად გამტარების დამახასიათებელი თვისებაა ელექტროგამტარობის ზრდა [[ტემპერატურა|ტემპერატურის]] ზრდის მიხედვით, ამასთან ერთად ტემპერატურის ცვლილების საკმარისად დიდ ინტერვალში კუთრი გამტარობა, როგორც წესი, იზრდება ექსპონენციალური კანონით:
<center>'''σ = σ<sub>0</sub> exp (-E<sub>A</sub> / kT)''', (1)</center>
სადაც '''''k''''' არის [[ბოლცმანის მუდმივა]], '''''E<sub>A</sub>''''' - ნახევრად გამტარებში [[ელექტრონი|ელექტრონების]] აქტივაციის [[ენერგია]], '''''σ<sub>0</sub>''''' - პროპორციულობის [[კოეფიციენტი]], რომელიც სინამდვილეში დამოკიდებულია ტემპერატურაზე, მაგრამ გაცილებით სუსტად, ვიდრე ექსპონენციალური მამრავლი. ტემპერატურის გარზდისას სითბური მოძრაობა არღვევს ელექტრონების ბმას მათი ნაწილი, რომელიც '''exp(-E<sub>A</sub>/kT)''' პროპორციულია, [[ელექტროდენი|დენის]] თავისუფალი მატარებელი ხდება. ელექტრონების ბმა შეიძლება დაირღვეს აგრეთვე ნახევარგამტარებზე გარე ზემოქმედებით: [[სინათლე|სინათლის]] დასხივებით, ჩქარი ნაწილაკების ნაკადით, ძლიერი [[ელექტრული ველი]]თ და ა. შ. ამიტომ ნახევარგამტარისთვის დამახასიათებელია ელექტროგამტარობის უაღრესად დიდი მგრძნობიარობა გარე ზემოქმედების მიმართ. ვინაიდან ბევრ შემთხვევაში [[კრისტალი]]ს დეფექტებთან ან [[მინარევი|მინარევებთან]] ლოკალიზებული ელექტრონის '''''E<sub>A</sub>''''' ენერგია მნიშვნელოვნად მცირეა, ვიდრე მოცემული ნახევარგამტარის იდეალურ კრისტალში, ნახევარგამტარის ელექტროგამტარობა ასევე ძლიერ მგრძნობიარეა კრისტალის დეფექტებისა და მინარევების შემცველობის მიმართ.
ამგვარად, ტემპერატურის ცვლილებებით, მინარევების შეყვანით და ა. შ. შესაძლებელია ნახევარგამტარის ელექტროგამტარობის ცვლილება დიდ ინტერვალში.
== ნახევრად გამტარები და დიალექტრიკები. ნახევრად გამტარების კლსიფიკაცია ==
==ნახევრად გამტარების ზონური სტრუქტურა==
== ნახევრად გამტარების ელექტრული, მაგნიტური და ოპტიკური თვისებები ==
==ლიტერატურა==
* {{ქსე|7|347—350}}
| 